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NVDIMM-P內存最新技術,能夠在意外斷電時保留原有數據

電子設計 2021-03-17 17:03 次閲讀

隨着 DRAM 內存容量和頻率的持續增長,現有電腦內存的安全性也一直沒有得到提升。近日,JEDEC固態技術協會宣佈的最新第一代協議是由對DRAM容量和帶寬的需求增加,以及在計算系統中附加新興的持久內存的靈活方法所驅動的。NVDIMM-P 內存能夠在意外斷電時保留原有數據,與英特爾傲騰(Optane)內存芯片比較類似。

JEDEC混合DIMM任務組標準化NVDIMM主席Jonathan Hinkle表示,JESD304-4.01 DDR4 NVDIMM-P總線協議為混合DIMM技術提供了正式規範,如NVDIMM-P,它使設計工程師能夠將DDR的訪問速度與非易失性存儲器的可靠性和容量相結合,以改進數據管理。

該標準的關鍵目標是找到一種在運行時像DRAM一樣附加和利用各種持久性存儲器的方法,如磁阻隨機訪問存儲器(MRAM)、電阻隨機訪問存儲器(ReRAM)和相變存儲器(PCRAM),包括Intel的Optane。

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此圖為最近發佈的JESD304-4.01 DDR4 NVDIMM-P總線協議的一個示例實現,該協議為NVDIMM-P等混合內存技術提供了正式規範,使設計工程師能夠將DDR的訪問速度與非易失性存儲器的可靠性和容量相結合。

NVDIMM-P 的新功能:

持久性:操作系統能夠低延遲、高帶寬訪問非易失內存。
虛擬化的內存:在DDR 通道啓用盡可能多的內存容量。
大容量:支持擴展的內存尋址功能。
支持即插即用:在電腦開機時可以直接插入標準的雙列內存插槽,並立刻與同一總線上的DDR 內存交互操作。

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Hinkle表示,DDR4 NVDIMM-P總線協議與目前建立計算快速鏈路(CXL)生態系統很好地結合在一起。CXL生態系統的部分目標是減少數據在系統內的移動距離,並將其轉移到最適合工作負載的媒體上。“新的存儲類型有不同的特點,我們想要低延遲,非常快地訪問,但新存儲不一定遵循與DRAM相同的規則。”

首先,DRAMDRAM的性能完全取決於處理器的預期。相比之下,各種新的持久內存類型需要多花幾納秒,或者需要執行某些操作才能獲得數據返回。“我們需要在新協議中加入靈活性。“我們的目標是確保任何新出現的內存都能利用現有的快速通道;該協議提供的內存媒介提取涵蓋了DDR通道上的任何內存介質,包括DRAM、MRAM或Optane等3DXpoint媒體。

然而,Hinkle介紹,我們必須在變量和獲得更低延遲訪問之間找到平衡——完全變量允許任何東西被連接,但這將增加延遲並降低性能,這有利於支持靈活性。“我們努力使它能讓你從非常快的存儲中得到非常快的反應。”

該協議還支持擴展內存尋址,以允許更高的內存容量,以及通過標準雙重內嵌式內存模塊(DIMM)插座實現即插即用互操作性,並可在同一總線上與DDR DRAM內存進行運行時互操作。

DDR4 NVDIMM-P總線協議被設計成兼容DDR4,而不是最新、最好的DDR5,因為DDR4正在廣泛生產。Hinkle介紹,協議的下一個主要迭代將包括對DDR5的支持。第一次迭代花了三年多的時間解決這個問題,其目的是開發一個開放的標準來響應行業需求,並適應不同的供應商提供不同類型的新興的、持久的記憶,而不是有一個合適的解決方案。得益於DDR4 NVDIMM-P總線協議,英特爾最近推出了OptaneDIMM,可以極大的改變服務器和數據中心處理數據集的方式。英特爾的Optane DIMM將使用3DXPoint內存,這是一種非易失性內存,是NAND和DRAM的融合。其亮點是3DXPoint在斷電後保留數據,這意味着它可以作為內存和存儲器進行尋址,併為許多新的用例做好準備。“這確實是一種標準方式,我們可以觸摸各種不同類型的內存,它具有我們可以支持的所有特徵,比如記憶持久性和更高的容量。”

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英特爾正在定位DIMM以彌合DRAM和NAND之間的價格和性能差距,儘管目前還不知道具體的定價細節。但是,預計DIMM的價格遠低於目前的DDR4 DRAM。

能夠容納各種持久性內存的概念並不是一個新的嘗試。儘管非易失性內存主機控制器接口規範(NVMe)主要設計目標是解鎖NAND閃存作為固態驅動器(SSD)的性能,此前這一性能受到硬盤驅動器架構的限制,但它也有潛力被用作其他基於持久性存儲器的設備的接口,如MRAM和OPTANE媒體,而不僅僅是基於閃存的SSD。

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CXL的三個協議可以單獨使用,也可以在特定的用例中組合使用,內存中的加速器可以支持密集計算,內存緩衝區可以支持內存容量擴展和存儲類內存。

CXL最近的快速發展還涉及到內存選項(volatile或non-volatile)的靈活性。它由三個協議組成,每一個協議都可以單獨或組合使用用於特定的用例,包括支持密集計算的內存加速器或支持內存容量擴展和存儲類內存的內存緩衝區。

延伸閲讀——NVDIMM到底是一個什麼神仙技術?


計算機體系結構中,處理器CPU主頻增長及多核的出現使其性能以每年70%的速度在增加,而以DRAM為主流的存儲器性能每年提升約7%,這就導致了所謂的“內存牆”出現。應用方面,雲計算、大數據和一些高性能計算平台迫切需增加內存容量。

NVDIMM就是應對這樣挑戰的產物,也正好能夠滿足相關企業提升性能的需求。

NVDIMM技術平衡內存與閃存性能差異


處理器與存儲器間的性能差異催生了NVDIMM(Non-Volatile Dual in Memory Module,非易失內存模組)的出現。非易失性內存指的是即使在不通電的情況下,數據也不會消失。因此可以在計算機非正常掉電、系統崩潰或正常關機的情況下,保持數據不丟失。NVDIMM技術平衡了傳統主流內存DRAM和非易失介質如Flash(閃存)/PCM(相變存儲)之間的性能差。

NVDIMM的誕生一方面解決了內存容量的需求,另一方面也解決了DRAM內存掉電易失的尷尬。在速度上,NVDIMM介於DRAM內存和NAND Flash存儲之間,它兼顧了DRAM訪問速度快和NAND Flash容量大的優點。以DRAM為主內存的存儲器容量目前在GB級別,但DRAM具有納秒級快速訪問的優點;與之相對的NAND Flash SSD存儲容量已經達到TB級別,而訪問速率卻在微秒級。

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根據JEDEC標準化組織的定義,有三種NVDIMM的實現:

NVDIMM-N


在一個模塊上同時放入傳統DRAM和flash閃存。計算機可以直接訪問傳統DRAM。通過使用一個小的後備電源,為在掉電時,數據從DRAM拷貝到閃存中提供足夠的電能。當電力恢復時,再重新加載到DRAM中。

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NVDIMM-F:基於DDR接口的閃存盤

指使用了DRAM的DDR3或者DDR4總線的flash閃存,本質上講可以認為是一塊在DDR接口上的SSD。我們知道由NANDflash作為介質的SSD,一般使用SATA,SAS或者PCIe總線。使用DDR總線可以提高最大帶寬,一定程度上減少協議帶來的延遲和開銷。NVDIMM-F的主要工作方式本質上和SSD是一樣的。因此它的延遲在10的1次方微秒級。它的容量也可以輕鬆達到TB以上。

還有一個就是上述的NVDIMM-P。NVDIMM-P實際上是真正DRAM和flash的混合。它既支持塊尋址,也支持類似傳統DRAM的按字節尋址。它既可以在容量上達到類似NANDflash的TB以上,又能把延遲保持在10的2次方納秒級。

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DRAM存儲原理和特點

DRAM 的EFA測試

想了解DRAM 的EFA測試,以及她的測試程序如何,學習的技巧等...
發表於 11-13 13:53 808次 閲讀
DRAM 的EFA測試

DDR佈局的要求有哪些?

       DDR:Double Date Rate 雙倍速率同步動態隨機存儲器。        &nb...
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DDR佈局的要求有哪些?

FAN5236 寬輸入電壓範圍雙通道輸出/ DDR PWM / PFM控制器

6 PWM控制器為兩個可調輸出電壓提供高效率和調節功能,範圍為0.9V至5.5V,用於為高性能筆記本電腦,PDA和Internet設備中的I / O,芯片組,存儲器庫供電。同步整流和輕載時的滯後運行為大量不同負載提供了高效率。如果所有負載水平都需要PWM模式,滯後模式可在每個PWM轉換器上單獨禁用。通過使用MOSFET RDS(ON 前饋斜坡調製,平均電流模式控制機制以及內部反饋補償等功能實現了負載瞬態快速響應。具有180度相位偏移動異相操作減少了輸入電流紋波。控制器可通過激活專用引腳,轉變成完整的DDR存儲器電源解決方案。在DDR模式中,一個通道跟蹤另一通道的輸出電壓並提供輸出灌電流和源功能,這對於DDR芯片正確加電至關重要。還提供了此類存儲器所需的緩衝參考電壓.FAN5236監控這些輸出,在軟啓動完成且輸出在其設定點的±10%內時生成獨立的PGx(電源正常)信號。內置過壓保護可防止輸出電壓超過其設定點的120%。過壓條件停止後,會自動恢復正常操作。當此輸出在其軟啓動序列完成後降至其設定值的75%以下時,欠壓保護會閂鎖芯片。可調過流功能通過感測較低MOSFET兩端的壓降來監控輸出電流。需要精確電流感測時,可使...
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FAN5236 寬輸入電壓範圍雙通道輸出/ DDR PWM / PFM控制器

FAN5026 雙輸出/ DDR PWM控制器

6 PWM控制器為兩個輸出電壓提供高效率的調節,可調範圍從0.9v至5.5V,這是高性能計算機,機頂盒以及VGA卡中的電源I / O,芯片組,存儲器庫所必需的。同步整流有利於在較寬的負載範圍內獲得高效率。如果使用MOSFETR DS(ON)作為電流感測組件,效率還可進一步提高。斜坡調製,平均電流模式控制機制以及內部反饋補償等功能實現了負載瞬態快速響應。具有180°相位偏移的異相操作減少了輸入電流紋波。控制器可通過激活專用引腳,轉變成完全的DDR存儲器電源解決方案。在DDR模式中,一個通道跟蹤另一通道的輸出電壓並提供輸出灌電流和源功能,這對於DDR芯片正確加電至關重要。還提供了此類存儲器所需的緩衝參考電壓.FAN5026監控這些輸出,並在軟啓動完成並輸出在其設定點的±10%內時生成獨立的PGx(電源正常)信號。壓保護可防止輸出電壓超過其設定點的120%。過壓條件停止後,會自動恢復正常操作。當輸出在其軟啓動序列完成後降至其設定值的75%以下時,欠壓保護會閂鎖芯片。可調過流功能通過感測較低MOSFET兩端的壓降來監控輸出電流。需要精確電流感測時,可使用外部電流感測電阻。 特性 高靈活性,雙同步開關PWM控...
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FAN5026 雙輸出/ DDR PWM控制器

NCP51403 3安培VTT終端穩壓器DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4

03是一款源/吸收雙倍數據速率(DDR)終端穩壓器,專為低輸入電壓和低噪聲系統而設計,其中空間是關鍵考慮因素。 NCP51403保持快速瞬態響應,僅需要20 uF的最小輸出電容。 NCP51403支持遠程感應功能和DDR VTT總線終端的所有電源要求。 NCP51403還可用於需要動態可調輸出電壓的低功耗芯片組和圖形處理器內核。 特性 輸入電壓軌:支持2.5 V,3.3 V和5 V導軌 PVCC電壓範圍:1.1至3.5 V 集成功率MOSFET 快速負載瞬態響應 PGOOD - 監控VTT規則的邏輯輸出引腳 VRI - 參考輸入允許直接或通過電阻分壓器進行靈活的輸入跟蹤 EN - 關閉模式的邏輯輸入引腳 內置 - 欠壓鎖定和過流限制 應用 終端產品 DDR內存終端 服務器和網絡設備 圖形處理器核心耗材 芯片組/ RAM耗材低至0.5 V 機頂盒,液晶電視/等離子電視,複印機/打印機 台式電腦,筆記本電腦和工作站 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表於 04-18 21:45 75次 閲讀
NCP51403 3安培VTT終端穩壓器DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4

NCP51510 ±3A吸收/源DDR終端穩壓器

10是一款源/匯雙倍數據速率(DDR)終端穩壓器,專為低輸入電壓和低噪聲系統而設計,其中空間是關鍵考慮因素。 NCP51510保持快速瞬態響應,並且只需要10uF的最小VTT負載電容即可實現輸出穩定性。 NCP51510支持遠程感應和DDR VTT總線終端的所有電源要求。 NCP51510還可用於需要動態可調輸出電壓的低功耗芯片組和圖形處理器內核。 NCP51510採用熱效率高的DFN10裸露焊盤封裝,額定綠色和無鉛。 特性 支持最高3 A的負載(典型值) ),輸出是過流保護 DDRI,DDRII,DDRIII源/接收電流 具有熱關斷保護功能的集成MOSFET PGOOD輸出引腳監視VTT輸出調節狀態 SS輸入引腳用於暫停關閉模式 靈活電壓跟蹤的VRI輸入參考 用於遙感的VTTS輸入(開爾文連接) 內置軟啓動,欠壓鎖定 應用 DDR內存終端 台式電腦,筆記本電腦和工作站 服務器和網絡設備 電信/數據通信,GSM基站 圖形處理器核心耗材 機頂盒,LCDTV / PDPTV,複印機/打印機 為芯片組/ RAM提供低至0.5 V的電源 有源/彙總總線終端 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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NCP51510 ±3A吸收/源DDR終端穩壓器

NCP51400 3安培VTT終端穩壓器DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4

00是一款源/匯雙倍數據速率(DDR)終端穩壓器,專為低輸入電壓和低噪聲系統而設計,其中空間是關鍵考慮因素.NCP51400保持快速瞬態響應,僅需要最小的輸出電容20 F. NCP51400支持遠程感應功能和DDR VTT總線終端的所有電源要求。 NCP51400還可用於需要動態可調輸出電壓的低功耗芯片組和圖形處理器內核。 特性 輸入電壓軌:支持2.5 V,3.3 V和5 V導軌 PVCC電壓範圍:1.1 V至3.5 V 快速負荷瞬態響應 PGOOD - 監視VTT規則的邏輯輸出引腳 EN - 關閉模式的邏輯輸入引腳 VRI - 參考輸入允許靈活的輸入跟蹤直接或通過電阻分頻器 內置軟啓動,欠壓鎖定和過流限制 應用 終端產品 DDR內存終端 服務器和網絡設備 圖形處理器核心耗材 芯片組/ RAM耗材低至0.5 V 台式電腦,筆記本電腦和工作站 電信/數據通信,GSM基站 機頂盒,液晶電視/等離子電視,複印機/打印機 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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NCP51400 3安培VTT終端穩壓器DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4

NCP51200 用於DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4的3A源/匯VTT終端穩壓器

00是一款源/吸收雙倍數據速率(DDR)終端穩壓器,專為低輸入電壓和低噪聲系統而設計,其中空間是關鍵考慮因素。 NCP51200保持快速瞬態響應,僅需要20 uF的最小輸出電容。 NCP51200支持遠程感應功能和DDR VTT總線終端的所有電源要求。 NCP51200還可用於需要動態可調輸出電壓的低功耗芯片組和圖形處理器內核。 NCP51200採用熱效率高的DFN10裸露焊盤封裝,額定綠色和無鉛。 特性 輸入電壓軌:支持2.5和3.3 V Rails PVCC電壓範圍:1.1至3.5 V 集成功率MOSFET 快速負載 - 瞬態響應 PGOOD-Logic輸出引腳監控VTT規則 關閉模式的EN-Logic輸入引腳 VRI參考輸入允許直接或通過電阻分壓器進行靈活的輸入跟蹤 遙感(VTTS) ) 內置軟啓動,欠壓鎖定和過流限制 應用 終端產品 DDR內存終止 圖形處理器核心耗材 芯片組/ RAM耗材低至0.5 V 有源總線終端 台式電腦,筆記本電腦和工作站 服務器和網絡設備 機頂盒,液晶電視/ PDP-電視,複印機/打印機 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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NCP51200 用於DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4的3A源/匯VTT終端穩壓器

NCP51401 3安培VTT端接穩壓器DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4

01是一款源/吸收雙倍數據速率(DDR)終端穩壓器,專為低輸入電壓和低噪聲系統而設計,其中空間是關鍵考慮因素。 NCP51401保持快速瞬態響應,僅需要20 F的最小輸出電容.NCP51401支持遠程感應功能和DDR VTT總線終端的所有電源要求。 NCP51401還可用於需要動態可調輸出電壓的低功耗芯片組和圖形處理器內核。 特性 輸入電壓軌:支持2.5 V,3.3 V和5 V導軌 PVCC電壓範圍:1.1至3.5 V 集成功率MOSFET 快速負載瞬態響應 PGOOD - 監控VTT規則的邏輯輸出引腳 VRI - 參考輸入允許直接或通過電阻分壓器進行靈活的輸入跟蹤 EN - 關閉模式的邏輯輸入引腳 內置 - 欠壓鎖定和過流限制 應用 終端產品 DDR內存終端 服務器和網絡設備 圖形處理器核心耗材 芯片組/ RAM耗材低至0.5 V 機頂盒,液晶電視/等離子電視,複印機/打印機 台式電腦,筆記本電腦和工作站 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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NCP51401 3安培VTT端接穩壓器DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4

NCP51402 3安培VTT終端穩壓器DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4

02是一款源/吸收雙倍數據速率(DDR)終端穩壓器,專為低輸入電壓和低噪聲系統而設計,其中空間是關鍵考慮因素。 NCP51402保持快速瞬態響應,僅需要20μF的最小輸出電容。 NCP51402支持遠程感應功能和DDR VTT總線終端的所有電源要求。 NCP51402還可用於需要動態可調輸出電壓的低功耗芯片組和圖形處理器內核。 特性 輸入電壓軌:支持2.5 V,3.3 V和5 V導軌 PVCC電壓範圍:1.1至3.5 V 集成功率MOSFET 快速負載瞬態響應 PGOOD - 監控VTT規則的邏輯輸出引腳 VRI - 參考輸入允許直接或通過電阻分壓器進行靈活的輸入跟蹤 EN - 關閉模式的邏輯輸入引腳 內置 - 欠壓鎖定和過流限制 應用 終端產品 DDR內存終端 服務器和網絡設備 圖形處理器核心耗材 芯片組/ RAM耗材低至0.5 V 機頂盒,液晶電視/等離子電視,複印機/打印機 台式電腦,筆記本電腦和工作站 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表於 04-18 21:41 139次 閲讀
NCP51402 3安培VTT終端穩壓器DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4

NCP51199 2安培DDR終端穩壓器

99是一款線性穩壓器,旨在為DDR-2和DDR-3存儲器應用提供穩定的VTT端接電壓。穩壓器能夠為DDR-2和DDR-3主動提供和吸收+ -2A峯值電流高達+ -1.5A,同時將VTT輸出電壓調節到+ -10mV。輸出端接電壓通過連接到PVCC,GND和VREF引腳的兩個外部分壓電阻調節到跟蹤VDDQ2。 特性 支持DDR2 VTT端接至2 A,DDR3至1.5 A(峯值 在1.2 A(峯值)下支持低至600 mV的DDR VTT電壓 集成功率MOSFET VTT輸出上的10uF陶瓷電容穩定 FullLoad的高精度VTT輸出 快速瞬態響應 內置軟啓動 待機或掛起模式關機 集成散熱和CurrentLimit保護 應用 DDR2 / DDR3的SDRAM端接電壓 主板,筆記本電腦和VGA卡內存終止 機頂盒,數字電視,打印機 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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NCP51199 2安培DDR終端穩壓器

NCP51198 1.5 DDR終端穩壓器

98是一款簡單,經濟高效的高速線性穩壓器,專為DDR-I,DDR-II和DDR-III存儲器生成VTT終端電壓軌。穩壓器能夠為DDR-I主動提供或吸收高達-1.5 A,或者DDR-II高達-0.5 A,-III,同時將輸出電壓調節到-30 mV以內。 特性 生成DDR存儲器終端電壓(VTT) 對於DDRI,DDRII,DDRIII源/接收電流 支持DDRI至1.5 A,DDRII至0.5 A(峯值) 具有熱保護功能的集成功率MOSFET 使用10UF陶瓷VTT電容器穩定 FullLoad時的高精度輸出電壓 最小外部元件數 關機待機或暫停至RAM(STR)模式 內置軟啓動 機頂盒,數字電視,打印機 應用 台式電腦,筆記本電腦和工作電台 顯卡DDR內存終端 嵌入式系統 有源總線終端 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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NCP51198 1.5 DDR終端穩壓器

NCP51145 1.8A源/匯VTT DDR終端穩壓器

45是一款線性穩壓器,旨在為DDR-II,DDR-III,LPDDR-III和DDR-IV存儲器應用提供穩定的VTT端接電壓。穩壓器能夠主動提供和吸收±1.8 A峯值電流,同時將輸出電壓調節到±20 mV以內。輸出端接電壓通過連接到PVCC,GND和VREF引腳的兩個外部分壓電阻進行調節,以跟蹤VDDQ / 2.NCP51145集成了一個高速差分放大器,可對線路和負載瞬態提供超快速響應。其他功能包括源/灌電流限制,軟啓動和片上熱關斷保護。 特性 對於DDR VTT應用,源/匯電流 支持DDR-II至±1.8 A,DDR-III至±1.5 A 支持LPDDR-III和DDR-IV至±1.2 A 使用僅陶瓷(極低ESR)電容器穩定 集成電源MOSFETs 滿載時的高精度VTT輸出 快速瞬態響應 內置軟件-Start 關機待機或掛起模式 集成熱量和限流保護 應用 終端產品 DDR-II / DR-III / DDR-IV SDRAM端接電壓 低功耗DDR-3LP 主板,筆記本電腦和VGA卡內存終止 機頂盒,數字電視,打印機 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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NCP51145 1.8A源/匯VTT DDR終端穩壓器

NCP51190 1.5安培DDR終端穩壓器

90是一款簡單,經濟高效的高速線性穩壓器,專為DDR-I,DDR-II和DDR-III存儲器生成VTT終端電壓軌。穩壓器能夠為DDR-I主動提供或吸收高達-1.5 A A,或者DDR-II高達-0.5 A,-III,同時將輸出電壓調節到+ -30 mV。 特性 生成DDR存儲器終端電壓(VTT) 對於DDRI,DDRII,DDRIII源/匯電流 支持DDRI至1.5 A,DDRII至0.5 A(峯值) 帶熱保護的集成功率MOSFET 使用10UF陶瓷VTT電容器穩定 高精度輸出FullLoad的電壓 最小的外部元件數 關機待機或暫停至RAM(STR)模式 內置軟啓動 應用 台式電腦,筆記本電腦和工作站 嵌入式系統 顯卡DDR內存終端 機頂盒,數字電視,打印機 有源總線終端 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表於 04-18 21:40 203次 閲讀
NCP51190 1.5安培DDR終端穩壓器

FAN23SV04TAMPX 4 A同步降壓調節器 實現DDR終止

V04TAMPX是一款極為高效的集成式同步降壓調節器,適合DDR終止電軌等跟蹤應用.V DDQ 輸入包括一個可以減少總電路尺寸和元件數量的內部2 :1電阻分壓器。該調節器在7 V到18 V的輸入電壓範圍內工作,並支持4 A的連續負載電流。如果V IN ,P VIN 和P VCC 連接在一起,繞開內部線性調節器,則該器件可以在5V電軌(±10%)下工作。該器件採用飛兆恆定導通時間控制結構,可提供出色的瞬態響應,並保持相對恆定的開關頻率。開關頻率和吸收過流保護功能可配置,為各種應用提供靈活的解決方案。輸出過壓和熱關斷保護功能可以保護器件在故障期間免受損害。熱關斷功能被激活後,達到正常工作温度時,滯後功能會重新啓動器件。 特性 V IN 範圍:在7 V到18 V時使用內部線性偏壓穩壓器 V IN 範圍:4.5 V至5.5 V時,V IN / P VIN / P VCC 連接到旁路內部調節器 高效率 連續輸出電流:4 A 內部線性偏壓穩壓器 內部V DDQ 電阻分壓器 出色的線路和負載瞬態響應 輸出電壓範圍:0.5V至1.5V 可編程頻率:200kHz到1.5MHz 可配置軟...
發表於 04-18 21:09 105次 閲讀
FAN23SV04TAMPX 4 A同步降壓調節器 實現DDR終止

TPS59116 全套 DDR、DDR2 和 DDR3 存儲器功率解決方案、用於嵌入式計算的同步降壓控制器

信息描述 The TPS59116 provides a complete power supply for DDR/SSTL-2, DDR2/SSTL-18, and DDR3 memory systems. It integrates a synchronous buck controller with a 3-A sink/source tracking linear regulator and buffered low noise reference. The TPS59116 offers the lowest total solution cost in systems where space is at a premium. The TPS59116 synchronous controller runs fixed 400-kHz pseudo-constant frequency PWM with an adaptive on-time control that can be configured in D-CAP™ Mode for ease of use and fastest transient response or in current mode to support ceramic output capacitors. The 3-A sink/source LDO maintains fast transient response only requiring 20-µF (2 × 10 µF) of ceramic output capacitance. In addition, the LDO supply input is available externally to significantly reduce the total power losses. The TPS59116 supports all of the sleep state controls placing VTT at high-Z in S3 (suspend to RAM) and dischargin...
發表於 04-18 20:05 288次 閲讀
TPS59116 全套 DDR、DDR2 和 DDR3 存儲器功率解決方案、用於嵌入式計算的同步降壓控制器

TPS54116-Q1 具有 4A/2MHz VDDQ DC/DC 轉換器、1A VTT LDO 和 VTTREF 的汽車類 DDR 電源解決方案

信息描述 TPS54116-Q1 器件是一款功能全面的 6V、4A 同步降壓轉換器,其配有兩個集成型 MOSFET 以及帶 VTTREF 緩衝參考輸出的 1A 拉/灌電流雙倍數據速率 (DDR) VTT 終端穩壓器。TPS54116-Q1 降壓穩壓器通過集成 MOSFET 和減小電感尺寸來最大限度減小解決方案尺寸,開關頻率最高達 2.5MHz。開關頻率可設置在中波頻段以上以滿足噪聲敏感型 應用 的需求,而且能夠與外部時鐘同步。同步整流使頻率在整個輸出負載範圍內保持為固定值。效率通過集成 25mΩ 低側 MOSFET 和 33mΩ 高側 MOSFET 得到了最大限度的提升。逐週期峯值電流限制在過流狀態下保護器件,並且可通過 ILIM 引腳上的電阻進行調整,從而針對小尺寸電感進行優化。VTT 終端穩壓器僅利用 2 × 10µF 的陶瓷輸出電容即可保持快速瞬態響應,從而減少外部組件數量。TPS54116-Q1 使用 VTT 進行遠程感測,從而實現最佳的穩壓效果。該器件可利用使能引腳進入關斷模式,從而使電源電流降至 1µA。欠壓閉鎖閾值可通過任一使能引腳上的電阻網絡進行設置。VTT 和 VTTREF 輸出被 ENLDO 禁用時會進行放電。該器件具備全集成特性,並且採用小尺...
發表於 04-18 20:05 203次 閲讀
TPS54116-Q1 具有 4A/2MHz VDDQ DC/DC 轉換器、1A VTT LDO 和 VTTREF 的汽車類 DDR 電源解決方案

TPS53317A 用於 DDR 存儲器終端的 6A 輸出 D-CAP+ 模式同步降壓集成 FET 轉換器

信息描述 TPS53317A 器件是一款設計為主要用於 DDR 終端的集成場效應晶體管 (FET) 同步降壓穩壓器。 它能夠提供一個值為 ½ VDDQ的經穩壓輸出,此輸出具有吸收電流和源電流功能。TPS53317A 器件採用 D-CAP+ 運行模式,簡單易用,所需外部組件數較少並可提供快速瞬態響應。 該器件還可用於其他電流要求高達 6A 的負載點 (POL) 穩壓應用。此外,該器件支持具有嚴格電壓調節功能的 6A 完整灌電流輸出。該器件具有兩種開關頻率設定值(600kHz 和 1MHz),可提供集成壓降支持、外部跟蹤功能、預偏置啓動、輸出軟放電、集成自舉開關、電源正常功能、V5IN 引腳欠壓鎖定 (UVLO) 保護功能,支持採用陶瓷和 SP/POSCAP 電容。 該器件支持的輸入電壓最高可達 6V,而輸出電壓在 0.45V 至 2.0V 範圍內可調。TPS53317A 器件採用 3.5mm × 4mm 20 引腳超薄四方扁平無引線 (VQFN) 封裝(綠色環保,符合 RoHS 標準並且無鉛),其中應用了 TI 專有的集成 MOSFET 和封裝技術,其額定運行温度範圍為 –40°C 至 85°C。特性 採用 TI 專有的集成金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 和封裝技術支持 DDR 內存...
發表於 04-18 20:05 138次 閲讀
TPS53317A 用於 DDR 存儲器終端的 6A 輸出 D-CAP+ 模式同步降壓集成 FET 轉換器

TPS51716 完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存儲器功率解決方案同步降壓

信息描述 TPS51716 用最少總體成本和最小空間提供一個針對 DDR2,DDR3,DDR3L 和 LPDDR3 內存系統的完整電源。 它集成了同步降壓穩壓器控制器 (VDDQ),此控制器具有 2A 灌電流/拉電流跟蹤 LDO (VTT) 和經緩衝的低噪聲基準 (VTTREF)。 TPS51716 採用與 500kHz 或 670kHz 工作頻率相耦合的 D-CAP2™ 模式,此模式在無需外部補償電路的情況下可支持陶瓷輸出電容器。 VTTREF 跟蹤 VDDQ/2 的精度高達 0.8%。 能夠提供 2A 灌電流/拉電流峯值電流功能的 VTT 只需 10μF 的陶瓷電容器。 此外,此器件特有一個專用的 LDO 電源輸入。TPS51716 提供豐富、實用的功能以及出色的電源性能。 它支持靈活功率級控制,將 VTT 置於 S3 中的高阻抗狀態並在 S4/S5 狀態中將 VDDQ,VTT 和 VTTREF 放電(軟關閉)。 它包括具有低側 MOSFET RDS(接通)感測的可編程 OCL,OVP/UVP/UVLO 和熱關斷保護。TPS51716 從 TI 出廠時採用 20引腳,3mm x 3mm QFN 封裝並且其額定環境温度範圍介於 -40°C 至 85°C 之間。特性 同步降壓控制器 (VDDQ)轉換電壓範圍:3V 至 28V輸出...
發表於 04-18 20:05 527次 閲讀
TPS51716 完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存儲器功率解決方案同步降壓

TPS51216 DDR2/3/3L/4 存儲器電源解決方案同步降壓控制器,2A LDO,緩衝參考

信息描述 The TPS51216 provides a complete power supply for DDR2, DDR3 and DDR3L memory systems in the lowest total cost and minimum space. It integrates a synchronous buck regulator controller (VDDQ) with a 2-A sink/source tracking LDO (VTT) and buffered low noise reference (VTTREF). The TPS51216 employs D-CAP™ mode coupled with 300 kHz/400 kHz frequencies for ease-of-use and fast transient response. The VTTREF tracks VDDQ/2 within excellent 0.8% accuracy. The VTT, which provides 2-A sink/source peak current capabilities, requires only 10-μF of ceramic capacitance. In addition, adedicated LDO supply input is available.The TPS51216 provides rich useful functions as well as excellent power supply performance. It supports flexible power state control, placing VTT at high-Z in S3 and discharging VDDQ, VTT and VTTREF (soft-off) in S4/S5 state. Programmable OCL with low-side MOSFET RDS(...
發表於 04-18 20:05 276次 閲讀
TPS51216 DDR2/3/3L/4 存儲器電源解決方案同步降壓控制器,2A LDO,緩衝參考

TPS51116 DDR1、DDR2、DDR3 轉換開關和 LDO

信息描述The TPS51116 provides a complete power supply for DDR/SSTL-2, DDR2/SSTL-18,DDR3/SSTL-15, and LPDDR3 memory systems. It integrates a synchronous buckcontroller with a 3-A sink/source tracking linear regulator and buffered lownoise reference. The TPS51116 offers the lowest total solution cost in systemswhere space is at a premium. The TPS51116 synchronous controller runs fixed400-kHz, pseudo-constant frequency PWM with an adaptive on-time control that canbe configured in D-CAP Mode for ease of use and fastest transient response or incurrent mode to support ceramic output capacitors. The 3-A sink/source LDOmaintains fast transient response only requiring 20-μF (2 × 10 μF) of ceramicoutput capacitance. In addition, the LDO supply input is available externally tosignificantly reduce the total power losses. The TPS51116 supports all of thesleep state controls placing VTT at high-Z in S3 (suspend to RAM) an...
發表於 04-18 20:05 217次 閲讀
TPS51116 DDR1、DDR2、DDR3 轉換開關和 LDO

TPS51206 具有適用於 DDR2/3/3L/4 的 VTTREF 緩衝參考輸出的 2A 峯值灌/拉電流 DDR 終端穩壓器

信息描述 TPS51206 是一款具有 VTTREF 緩衝參考輸出的灌/拉電流雙倍數據速率 (DDR) 終端穩壓器。該器件專門針對低輸入電壓、低成本、低外部元件數的空間受限類系統而設計。TPS51206 可保持快速的瞬態響應,並且僅需 1 個 10µF 的陶瓷輸出電容。TPS51206 支持遠程感測功能,並且可滿足 DDR2、DDR3 和低功耗 DDR3 (DDR3L) 及 DDR4 VTT 總線的所有電源要求。VTT 具有 ±2A 峯值電流能力。該器件支持所有 DDR 電源狀態,在 S3 狀態下將 VTT 置於高阻態(掛起到 RAM);在 S4/S5 狀態下使 VTT 和 VTTREF 放電(掛起到磁盤)。TPS51206 採用 10 引腳、2mm × 2mm SON (DSQ) PowerPAD封裝,額定工作温度範圍為 –40°C 至 85°C。特性 電源輸入電壓:支持 3.3V 和 5V 電源軌 VLDOIN 輸入電壓範圍:VTT+0.4V 至 3.5V VTT 端接穩壓器輸出電壓範圍:0.5V 至 0.9V 2A 峯值灌電流和拉電流 僅需 10μF 的多層陶瓷電容 (MLCC) 輸出電容 ±20mV 精度VTTREF 緩衝參考輸出VDDQ/2 ± 1% 精度 10mA 灌/拉電流支持高阻態(S3 狀態)和軟停止(S4 和 S5 狀態),通過 ...
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TPS51206 具有適用於 DDR2/3/3L/4 的 VTTREF 緩衝參考輸出的 2A 峯值灌/拉電流 DDR 終端穩壓器